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KAD5514P
电气规格
所有规格适用于在下列条件下，除非另有说明： AVDD = 1.8V ， OVDD = 1.8V ，
T
A
= -40 ° C至+ 85°C （典型值规格在+ 25 ° C） ，A
IN
= -1dBFS ，女
样品
=最大转换速率
（每个速度等级） 。
（续）
KAD5514P-25
（注7 ）
参数
互
失真
词错误率
全功率带宽
注意事项：
4.数字电源电流取决于数字输出的电容负载。我
OVDD
规范适用于每个数字输出10pF的负载。
第21页5.见打盹/休眠模式说明更多细节。
6. DLL范围的设置必须为低速运行而改变。请参阅第22页上的“串行外设接口”的更多细节。
7.参数与MIN和/或最大极限是在最糟糕的情况下，极端的温度（ + 85°C ） 100 ％生产测试。
符号
IMD
条件
f
IN
= 70MHz时
f
IN
= 170MHz的
WER
FPBW
民
典型值
-89.2
-91.4
10
-12
950
KAD5514P-21
（注7 ）
典型值
-92.3
-86.9
10
-12
950
KAD5514P-17
（注7 ）
典型值
-94.5
-91.7
10
-12
950
KAD5514P-12
（注7 ）
典型值
-94.9
-85.7
10
-12
950
兆赫
最大单位
dBFS的
dBFS的
最大最小
最大最小
最大最小
数码特定网络阳离子
参数
输入
输入电流高
（ SDIO ， RESETN ）
输入电流低
（ SDIO ， RESETN ）
输入电压高
（ SDIO ， RESETN ）
输入电压低
（ SDIO ， RESETN ）
输入电流高（ OUTMODE ，
NAPSLP ， CLKDIV ，指定outfmt ）
（注8）
输入电流低（ OUTMODE ，
NAPSLP ， CLKDIV ，指定outfmt ）
输入电容
LVDS输出
差分输出电压
输出失调电压
输出上升时间
输出下降时间
CMOS输出
电压输出高
输出电压低
输出上升时间
输出下降时间
V
OH
V
OL
t
R
t
F
I
OH
= -500A
I
OL
= 1毫安
OVDD - 0.3
OVDD - 0.1
0.1
1.8
1.4
0.3
V
V
ns
ns
V
T
V
OS
t
R
t
F
3毫安模式
3毫安模式
950
620
965
500
500
980
mV
P-P
mV
ps
ps
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
I
IH
15
25
V
IN
= 1.8V
V
IN
= 0V
0
-25
1.17
.63
40
1
-12
10
-5
A
A
V
V
A
符号
条件
民
典型值
最大
单位
I
IL
C
DI
-40
25
3
-15
A
pF
6
FN6804.2
2009年9月10日
