一般信息
D. DDR SDRAM模块订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
DDR SDRAM
米乘X X L X X X X X X X - X X X
内存模块
DIMM配置
数据位
特征
深度
刷新， ＃银行的比较。 &接口
速度
动力
PCB版本&类型
包
组件版本
组成成分
1.内存模块：M
7.组成成分
0
3
4
8
9
:
:
:
:
:
x4
x8
x16
×4栈
×8堆栈
2. DIMM配置
3
:
DIMM
4
:
SODIMM
3.数据位
68 :
81 :
83 :
12 :
70 :
63 :
x64
x72
x72
x72
x64
x64
184PIN DIMM无缓冲
184PIN ECC无缓冲DIMM
184PIN DIMM注册
184PIN低调注册DIMM
200PIN SODIMM无缓冲
172pin DIMM微
8.组件版本
A
:
第二届创
M
:
第一将军
C
:
第四将军
B
:
第三将军
E
:
第六届将军
D
:
第五将军
G
:
第8代
F
:
7将军
J
:
第11届创
H
:
9日创
9.包
U
:
TSOP II
*1
（无铅）
T
:
TSOP II （ 400mil ）
V
:
sTSOP II
*1
（无铅）
N
:
STSOP
Z
:
FBGA
*1
（无铅）
G
:
FBGA
（注1：所有无铅产品均符合RoHS指令）
10. PCB版本&类型
4.功能
L
:
DDR SDRAM （ 2.5V VDD ）
5.深度
16
:
16M
32
:
32M
64
:
64M
28
:
128M
56
:
256M
51
:
512M
17
33
65
29
57
:
16M （为128MB / 512MB的）
:
32M （为128MB / 512MB的）
:
64M （为128MB / 512MB的）
:
128M （为128MB / 512MB的）
:
256M （也为512MB ）
0
:
母亲PCB
1
:
第一个版本
2
:
第二个版本
3
:
第3版本
S
:
还原层PCB
11.温度&电源
C
:
商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &普通电源
L
:
商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &低功耗
6.刷新，在补偿＃银行。 &接口
1
:
2
:
4K / 64ms的参考， 4Banks & SSTL- 2
8K / 64ms的参考， 4Banks & SSTL- 2
12.速度
CC
:
B3
:
A2
:
B0
:
DDR400
DDR333
DDR266
DDR266
（为200MHz @ CL = 3， tRCD的= 3， tRP的= 3）的
（为166MHz @ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
（为133MHz @ CL = 2 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
（为133MHz @ CL = 2.5 ， tRCD的= 3 ，激进党= 3 ）
2007年12月
