K4H281638L

15.0详细的测试条件为DDR SDRAM IDD1 & IDD7A

IDD1 ：工作电流：一家银行的操作

1.典型案例： V

DD

= 2.5V ，T = 25°C

最糟糕的情况： V

DD

= 2.7V ，T = 10℃

DDR SDRAM

2.只有一个银行存取真相与和解委员会（分钟） ，连拍模式，地址和控制对NOP边输入一次改变

每个时钟周期。糊涂人= 0毫安

3.定时模式

- B3 （ 166MHZ ， CL = 2.5 ） ： TCK = 6ns的， CL = 2.5 ， BL = 4的tRCD = 3 * TCK，的tRC = 10 * TCK， tRAS的= 7 * TCK

阅读： A0 NN R0 NNN P0 NN - 随机地址变更重复同样的时间

*数据的50 ％，改变在每个爆

- CC （ 200Mhz的， CL = 3 ） ： TCK =为5ns ， CL = 3 ， BL = 4的tRCD = 3 * TCK，的tRC = 11 * TCK， tRAS的= 8 * TCK

阅读： A0 NN R0 NNNN P0 NN - 随机地址变更重复同样的时间

*数据的50 ％，改变在每个传递

- CD （为250MHz ， CL = 3 ） ： TCK = 4ns的， CL = 3 ， BL = 4的tRCD = 4 * TCK，的tRC = 13 * TCK， tRAS的= 10 * TCK

阅读： A0 NNN R0 P0 NNNNN NN - 随机地址变更重复同样的时间

*数据的50 ％，改变在每个传递

注： A =激活， R =读取，W =写， P =预充电，N =不选择

IDD7A ：工作电流：四大银行操作

1.典型案例： V

DD

= 2.5V ，T = 25°C

最糟糕的情况： V

DD

= 2.7V ，T = 10℃

2.四家银行正在交错真相与和解委员会（分钟） ，连拍模式，地址和控制对NOP边投入不

不断变化的。糊涂人= 0毫安

4.定时模式

- B3 （ 166MHZ ， CL = 2.5 ） ： TCK = 6ns的， BL = 4 ， TRRD = 2 * TCK， tRCD的= 3 * TCK， tRAS的= 5 * TCK

阅读： A0 A1 A2 RA0 RA1 A3 RA2 RA3 - 随机地址变更重复同样的时间

*数据的50 ％，改变在每个爆

- CC （ 200Mhz的， CL = 3 ） ： TCK =为5ns ， BL = 4 ， TRRD = 2 * TCK， tRCD的= 3 * TCK， tRAS的= 8 * TCK

阅读： A0 A1 A2 RA0 RA1 A3 RA2 RA3 - 随机地址变更重复同样的时间

*数据的50 ％，改变在每个传递

- CD （为250MHz ， CL = 3 ） ： TCK = 4ns的， CL = 3 ， BL = 4的tRCD = 4 * TCK， tRAS的= 10 * TCK

阅读： NN A0 A1 A2 RA0 RA1 A3 RA2 RA3 - 随机地址变更重复同样的时间

*数据的50 ％，改变在每个传递

注： A =激活， R =读取，W =写， P =预充电，N =不选择

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修订版1.2 2009年二月