产品指南
3.1 SDRAM
密度
64MB N-二模
128MB K-模
128MB O型模具
256Mb的J-模
256MB N-二模
银行
4Banks
4Banks
4Banks
4Banks
4Banks
产品型号
KS641632N
K4S281632K
K4S281632O
K4S561632J
K4S561632N
包装&电力，
温度。 &速度
LI(P)60/I(P)75
U
*1
I(P)60/I(P)75
LI(P)60/I(P)75
U
*1
I(P)60/I(P)75
LI(P)60/I(P)75
组织。
4M ×16
8M ×16
8M ×16
16M ×16
16M ×16
接口
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
刷新
4K/64ms
4K/64ms
4K/64ms
8K/64ms
8K/64ms
2010年4月
消费者的记忆
3.
工业温度
消费者DRAM组件产品指南
电源（ V）
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
包
54pin TSOP （II）的
54pin TSOP （II）的
*1
54pin TSOP （II）的
54pin TSOP （II）的
*1
54pin TSOP （II）的
无济于事。
NOW
NOW
3Q ’10
NOW
2Q ’10
记
1. 128Mb的K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装（ -U ）
3.2 DDR SDRAM
密度
银行
产品型号
K4H510838F
512MB F-模
4Banks
K4H511638F
K4H511638G
包装&电力，
温度。 &速度
LI(P)B3
LI(P)B3
HI(P)B3
LI(P)CC/B3
HI(P)CC/B3
组织。
64M ×8
32M ×16
32M ×16
SSTL_2
8K/64m
2.5±0.2V
*1
接口
刷新
电源（ V）
包
66pinTSOPII
66pinTSOPII
60Ball FBGA
SSTL_2
8K/64m
2.5±0.2V
*1
66pinTSOPII
60Ball FBGA
NOW
NOW
无济于事。
512MB G-模
4Banks
记
: 1. V
DD
/V
DDQ
SPEC 256 / 512Mb的DDR
DDR400
V
DD
/V
DDQ
2.6V ± 0.1V
DDR333/266
2.5V ± 0.2V
3.3 DDR2 SDRAM
密度
银行
产品型号
K4T51163QG
K4T51163QG
512MB I-模
1GB电子芯片
1GB F-模
4Banks
8Banks
8Banks
K4T51163QI
K4T51163QI
K4T1G084QE
K4T1G164QE
K4T1G084QF
K4T1G164QF
包装&电力，
温度。 &速度
HI(P)F7/I(P)E6/I(P)D5/
I（ P） CC
HDE6
HI(P)E7/I(P)F7/I(P)E6
HDE7/E6
HI(P)F7/I(P)E6
HI(P)F7/I(P)E6
BI(P)F7/I(P)E6
BI(P)F7/I(P)E6
32M ×16
128M ×8
64M ×16
128M ×8
64M ×16
SSTL_18
SSTL_18
SSTL_18
8K/64m
8K/64m
8K/64m
1.8V±0.1V
1.8V ± 0.1V
1.8V ± 0.1V
84Ball FBGA
60Ball FBGA
84Ball FBGA
60Ball FBGA
84Ball FBGA
NOW
NOW
NOW
2Q ’10
组织。
接口
刷新
电源（ V）
包
无济于事。
512MB G-模
4Banks
32M ×16
SSTL_18
8K/64m
1.8V±0.1V
84Ball FBGA
NOW
3.4 DDR3 SDRAM
密度
1GB电子芯片
2GB B-模
2GB C-模
银行
8Banks
8Banks
8Banks
产品型号
K4B1G1646E
K4B2G1646B
K4B2G1646C
包装&电力，
温度。 &速度
HI(P)H9
HI(P)H9
HI(P)H9
组织。
64M ×16
128M ×16
128M ×16
接口
SSTL_15
SSTL_15
SSTL_15
刷新
8K/64m
8K/64m
8K/64m
电源（ V）
1.5V±0.075V
1.5V±0.075V
1.5V±0.075V
包
96ball FBGA
96ball FBGA
96ball FBGA
无济于事。
NOW
NOW
2Q ’10
-7-
