位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第0页 > K4B1G0446G-BCK0 > K4B1G0446G-BCK0 PDF资料 > K4B1G0446G-BCK0 PDF资料1第58页
K4B1G0446G
K4B1G0846G
数据表
TIS
CK
TIH
TIS
TIH
修订版1.01
DDR3 SDRAM
记
：时钟和频闪绘制在不同的时间尺度。
CK
的DQ
的DQ
TDS
V
DDQ
TDH
TDS
TDH
V
IH
（ AC ）分
公称
LINE
V
IH
（ DC ）分
DC到V
REF
地区
V
REF
（DC）的
DC到V
REF
地区
V
IL
（DC）的最大
切线
LINE
切线
LINE
公称
LINE
V
IL
（AC）的最大
V
SS
TR
切线[V
REF
（ DC ） - V
IL
（ DC ）最大]
持压摆率
=
上升信号
TR
TF
切线[V
IH
（ DC ）分 - V
REF
（直流） ]
持压摆率
=
下降的信号
TF
图24.插图切线的保持时间t
DH
（对DQ相对于选通）和叔
IH
（对于ADD / CMD相对于时钟）
- 58 -
