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K4B1G0446G
K4B1G0846G
数据表
速度
参数
符号
民
DDR3-1600
最大
民
DDR3-1866
tDLLK
tRTP
Twtr
tWR的
超过tMRD
TMOD
TCCD
tDAL （分钟）
tMPRR
tRAS的
TRRD
TRRD
tFAW
tFAW
TIS （基地）
AC175
1
-
512
最大
(4nCK,7.5ns)
最大
(4nCK,7.5ns)
15
4
最大
(12nCK,15ns)
4
-
-
-
-
-
-
-
512
最大
(4nCK,7.5ns)
最大
(4nCK,7.5ns)
15
4
最大
(12nCK,15ns)
4
WR +综述（TRP /
TCK （ AVG） ）
1
修订版1.01
DDR3 SDRAM
单位
记
[表49]通过高速箱为DDR3-1600 ， DDR3-1866时序参数（续）
最大
命令和地址时序
DLL锁定时间
内部读取命令到预充电命令延迟
从内部写交易开始到内部读的COM延迟
MAND
写恢复时间
模式寄存器设置命令周期时间
模式寄存器设置命令更新延迟
CAS ＃到CAS ＃命令延迟
自动预充电写恢复+预充电时间
多用途寄存器恢复时间
主动到预充电命令期
积极为1KB的页面大小活动的命令期
积极为2KB页大小活动的命令期
四激活窗口为1KB的页面大小
四激活窗口为2KB页大小
-
-
-
-
-
-
-
NCK
NCK
-
NCK
ns
22
e
e
e
ns
ns
ps
ps
ps
ps
ps
ps
e
e
b,16
b,16
b,16
b,16,27
b,16
28
ns
NCK
NCK
e
e,18
e
请参见“速度盒及CL ， tRCD的，激进党，真相与和解委员会tRAS的相应斌”第42页上的
最大
(4nCK,6ns)
最大
(4nCK,7.5ns)
30
40
45
170
-
-
120
560
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
（ 4nCK ，为5ns ）
最大
（ 4nCK ，为6ns ）
27
35
-
-
65
150
100
535
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
命令和地址建立时间为CK ， CK参考
V
IH
交流（AC） / V
IL
交流（AC）电平
TIS （基地）
AC150
TIS （基地）
AC135
TIS （基地）
AC125
从CK命令和地址保持时间，对照参考
V
IH
交流（AC） / V
IL
交流（AC）电平
控制&地址输入脉冲宽度为每个输入
校准时间
上电复位和校准时间
正常运行完整的校准时间
正常运行短路校准时间
复位时序
退出复位从CKE高到一个有效的命令
自刷新时间
退出自刷新命令不要求锁定DLL
退出自刷新命令需要锁定DLL
对于自刷新进入，退出时机CKE最小宽度低
自刷新项（ SRE ）或电源 - 后有效的时钟要求
唐氏项（ PDE ）
自刷新退出（ SRX ）或电源 - 前有效的时钟要求
倒退出（ PDX ）或复位退出
TIH （基峰）
DC100
tIPW
tZQinitI
tZQoper
tZQCS
512
256
64
-
-
-
max(512nCK,640ns)
max(256nCK,320ns)
max(64nCK,80ns)
-
-
-
NCK
NCK
NCK
23
TXPR
MAX（ 5nCK ， tRFC +
10ns)
-
MAX（ 5nCK ， tRFC +
10ns)
-
TXS
tXSDLL
tCKESR
tCKSRE
tCKSRX
MAX（ 5nCK ， tRFC +
10ns)
tDLLK （分钟）
tCKE （分钟） + 1tCK
max(5nCK,
10ns)
max(5nCK,
10ns)
-
-
-
-
-
MAX（ 5nCK ， tRFC +
10ns)
tDLLK （分钟）
tCKE （分钟） + 1nCK
max(5nCK,
10ns)
max(5nCK,
10ns)
-
-
-
-
-
NCK
- 48 -
