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数据表
LDO外部元件的选择
反馈电阻
对于可调模型， Rb的最大值不
超过200千欧（参见图48）。
ADP5023
X5R电介质为± 15 ％ ，工作在-40 ° C至+ 85°C温度
TURE范围和不包或电压等级的函数。
1.2
1.0
输出电容
该
ADP5023
LDO是专为运行具有体积小，节省空间
节能陶瓷电容，但功能与最常用的
常用的电容，只要小心的ESR值。该
输出电容的ESR会影响LDO控制的稳定性
循环。最低0.70 μF电容为1 Ω或ESR
建议少，以保证稳定
ADP5023.
短暂
响应于变化的负载电流也受输出
电容。使用较大的值的输出电容提高了
的瞬态响应
ADP5023
到大的变化负荷
电流。
电容（ μF ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
2
3
4
直流偏置电压（V）的
5
6
输入旁路电容
从VIN3连接1 μF电容到地减少
该电路的灵敏度以印刷电路板（ PCB）的布局，
特别是在长输入走线或高信号源阻抗
遇到。如果大于1 μF输出电容是
需要增加输入电容相匹配。
图51.电容与电压特性
使用下面的公式来确定最坏情况下的capa-
citance占电容随温度变化，
元件容差和电压。
C
EFF
=
C
BIAS
× (1
温度系数）
× (1
TOL ）
其中：
C
BIAS
是在工作电压的有效电容。
温度系数
是最坏情况下的电容温度系数。
托尔
是最坏情况下的元件容差。
在这个例子中，最坏情况下的温度系数
（ TEMPCO ）在-40 ° C至+ 85°C假定为15％的
X5R电介质。电容器的容差（TOL ）被假定
为10％和C
BIAS
为0.85 μF的在1.8伏，如图51 。
将这些值代入以下公式：
C
EFF
= 0.85 μF × (1 0.15) × (1 0.1) = 0.65 μF
因此，本例中选择的电容器满足
LDO的最小电容要求过
温度和宽容在选定的输出电压。
为保证的性能
ADP5023,
有必要
该直流偏置，温度和容差对效果
的电容器的特性进行评价的每个应用程序。
输入和输出电容特性
使用任何优质陶瓷电容器用
ADP5023
as
只要满足最小电容和最大ESR
要求。陶瓷电容用各种制造
电介质，每个随温度不同的行为的
与施加的电压。电容器必须具有足够的介电
以确保在必要的温度的最小电容
TURE范围和直流偏置条件。 X5R或X7R电介质与
6.3 V或10 V额定电压被推荐为最佳perfor-
曼斯。 Y5V和Z5U电介质不推荐使用
与任何LDO ，因为他们恶劣的温度和直流偏置
的特点。
图51描述了电容与电压偏置特性
一个0402 1 μF ， 10 V ， X5R电容。的电压稳定性
电容器由电容器的尺寸和电压的强烈影响
投资评级。通常，在一个较大的封装的电容器或更高的电压
评级具有更好的稳定性。的温度变化
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