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ADP5023
开关损耗与当前的绘制相关的
驱动器来打开和关闭电源的设备的开关
频率。开关功率损耗的量由下式给出
P
SW
= (C
GATE -P
+
C
GATE -N
) ×
V
IN1
2
×
f
SW
其中：
C
GATE -P
是在P - MOSFET的栅极电容。
C
GATE -N
是N -MOSFET的栅极电容。
对于
ADP5023,
了C总（
GATE -P
+
C
GATE -N
）是
大约150 pF的。
发生了转换损耗，因为P沟道功率
的MOSFET不能被接通或关断瞬间，并且
SW节点需要一定的时间，从近地面杀至近
V
OUT1
（与从V
OUT1
接地） 。变化量
损失是由计算
P
TRAN
=
V
IN1
×
I
OUT1
× (t
上升
+
t
秋天
) ×
f
SW
(11)
哪里
t
上升
和
t
秋天
是上升时间和的下降时间
交换节点， SW 。对于
ADP5023,
的上升和下降时间
SW是在5纳秒的顺序。
如果前面的方程和参数用于估
荷兰国际集团的转换效率，但必须指出的是，方程
没有描述所有的转换器损失，并且参数
给定的值是典型的数字。该转换器的性能
还取决于无源元件和电路板的选择
布局;因此，应包括足够的安全余量
在估算。
(10)
数据表
结温
在情况下，电路板温度T
A
众所周知，热
电阻参数， θ
JA
可以用来估计结
温度上升。牛逼
J
从T已计算
A
和P
D
使用
公式
T
J
=
T
A
+ (P
D
× θ
JA
)
(14)
典型的θ
JA
值的24引脚，采用4 mm× 4 mm LFCSP封装是
35℃ / W的（见表6）。要考虑的一个非常重要的因素是
即θ
JA
为4层， 4 × 3 ，2.5盎司铜皮，如每
JEDEC标准，而真实应用中可以使用不同大小
和层。它最大限度地用于去除铜是重要
热量从设备。铜暴露在空气中放热
比铜在内层使用更好。裸露焊盘
应连接到地平面的几个过孔。
如果外壳温度可以被测量，其结
温度由下式计算
T
J
=
T
C
+ (P
D
×
θ
JC
)
(15)
哪里
T
C
是的情况下温度和
θ
JC
是结到外壳
在表6中提供的热阻。
当设计用于特定环境的应用程序
温度范围，计算预期
ADP5023
动力
功耗（P
D
）由于所有信道的使用的损失
公式8公式13.从这个功率计算中，
结温，T
J
，可使用公式14来估计。
转换器的可靠操作和两个LDO稳压器
仅当所估计的芯片的结温，可以实现
该
ADP5023
（公式14）是小于125 ℃。可靠性和
平均无故障（ MTBF ）之间的时间是高度影响通过增加
荷兰国际集团的结温。有关其他信息
产品的可靠性，可以发现从
ADI可靠性手册，
它可以被发现
www.analog.com/reliability_handbook 。
LDO稳压器功耗
一个LDO稳压器的功率损耗由下式给出
P
DLDO
= [(V
IN
V
OUT
) ×
I
负载
] + (V
IN
×
I
GND
)
其中：
I
负载
是LDO稳压器的负载电流。
V
IN
和
V
OUT
是LDO的输入和输出电压，
分别。
I
GND
是的LDO稳压器的接地电流。
功耗由于接地电流小，它
可以忽略不计。
在总功率耗散
ADP5023
简化为
P
D
=
P
DBUCK1
+
P
DBUCK2
+
P
DLDO
(13)
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版本A |第16页28
