IMH20T1G
Q1 + Q2 ： NPN
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 50
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 50
MADC ，
I
C
= 0)
集电极 - 基截止电流（V
CB
= 20伏直流，我
E
= 0)
发射极 - 基截止电流（V
EB
= 4.0 V，I
C
= 0)
直流电流增益（注1 ） （V
CE
= 5.0伏，我
C
= 50 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 50 MADC ，我
B
= 2.5 MADC ）
输入阻抗
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
特区
≤
2%.
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
R
1
民
15
30
5.0
-
-
100
-
1.54
最大
-
-
-
0.5
0.5
600
80
2.86
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
-
mV
k
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