R
JCS12N60T
导通电阻变化
与温度的关系
3.0
2.5
特征曲线
电特性（曲线）
击穿电压变化
与温度的关系
1.2
BV
DS
（归一化）
1.1
R
D（上）
（归一化）
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项：
1. V
GS
=0V
2. I
D
=250μA
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
注意事项：
1. V
GS
=10V
2. I
D
=6.0A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.8
-75
0.0
-75
T
j
[
℃
]
T
j
[
℃
]
最大安全工作区
对于JCS12N60CT
10
2
最大安全工作区
对于JCS12N60FT
10
2
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10μs
100μs
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
10μs
100μs
1ms
10ms
I
D
漏电流[ A]
10
1
1ms
10ms
100ms
I
D
漏电流[ A]
10
1
10
0
10
0
10
-1
注意：
1 T
C
=25
℃
2 T
J
=150
℃
3单脉冲
0
DC
10
10
3
-1
注意：
1 T
C
=25
℃
2 T
J
=150
℃
3单脉冲
0
100ms
DC
10
3
10
V
DS
漏源电压[ V]
10
1
10
2
10
V
DS
漏源电压[ V]
10
1
10
2
最大漏极电流
与外壳温度
14
12
I
D
漏电流[ A]
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
外壳温度[
℃
]
版本：201010C
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