典型性能曲线
APT200GN60J
APT200GN60J
600V
利用最新的场站和沟槽栅技术，这些IGBT的
具有超低V
CE （ON）的
，非常适合需要低频率的应用
绝对最低的导通损耗。简单的并联是很紧的结果
参数分布和稍微正V
CE （ON）的
温度COEF网络cient 。
内置的栅极电阻保证了极其可靠的运行，甚至在事件
的短路故障。低栅极电荷简化网络连接的ES栅极驱动设计
最大限度地减少损失。
600V场截止
沟槽栅：低V
CE （ON）的
简单的并联
为10μs短路能力
综合型栅极电阻：低EMI ，高可靠性
E
G
C
E
7
22
T-
SO
"UL Recognized"
ISOTOP
C
G
E
应用范围：
焊接，感应加热，太阳能逆变器，电机驱动器， UPS ，旁路晶体管
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 110°C
集电极电流脉冲
1
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT200GN60J
单位
伏
600
±20
250
110
600
600A @ 600V
568
-55到150
安培
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
瓦
°C
静态电气特性
符号
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 4毫安）
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 3.2毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
5
1.05
5.8
1.45
1.65
1.15
1.19
4
2
6.5
1.85
伏
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 200A ，T
j
= 25°C)
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 200A ，T
j
= 125°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ，T
j
= 125°C)
I
CES
I
GES
R
GINT
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
mA
nA
1-2005
050-7610
REV A
集电极截止电流（V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
综合型栅极电阻
待定
600
2
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
