初步技术信息
PolarP2
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFK94N50P2
IXFX94N50P2
R
DS （ ON）
≤
t
rr
≤
V
DSS
I
D25
=
=
500V
94A
55mΩ
Ω
250ns
TO- 264 （ IXFK ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
最大额定值
500
500
±
30
±
40
94
240
94
3.5
1300
30
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
J
W
V / ns的
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
G
D
S
TAB
PLUS247 （ IXFX ）
G
D
S
TAB
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 264 ）
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
特点
国际标准封装
动态的dv / dt额定值
额定雪崩
快速内在二极管
低Q
G
低R
DS （ ON）
低漏 - 标签电容
低封装电感
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
500
3.0
5.0
±
200
V
V
nA
易于安装
节省空间
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
不间断电源
交流马达驱动器
高速电源开关
应用
10
μA
2毫安
55 mΩ
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2009 IXYS公司，版权所有
DS100215A(09/10)
