HiPerRF
TM
功率MOSFET
F级：兆赫切换
IXFK44N50F
IXFX44N50F
V
DSS
I
D25
t
rr
R
DS （ ON）
单个MOSFET模
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，低的固有
g
高dv / dt ，低吨
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装力矩
安装力
TO-264
TO-247
(TO-264)
(TO-247)
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±
20
±
30
44
184
44
60
2.5
10
500
- 55 ... +150
150
- 55 ... +150
300
260
1.13/10
20..120/4.5..27
10
6
= 500V
= 44A
≤
120mΩ
Ω
≤
250ns
TO- 264 （ IXFK ）
G
D
S
TAB
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
PLUS247 （ IXFX ）
TAB
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
特点
射频MOSFET的能力
双金属工艺的低门
阻力
额定雪崩
低封装电感
快速内在整流器
优势
节省空间
高功率密度
应用
纳米/ lb.in 。
牛米/磅。
g
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
500
3.0
5.5
±
100
V
V
nA
100
μA
2毫安
120 mΩ
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
DC- DC转换器
开关模式和谐振模
电源供应器， > 500kHz开关
直流斩波器
13.5 MHz的工业应用
脉冲产生
激光驱动器
射频放大器
2009 IXYS公司，版权所有
DS98731C(10/09)
