IXFH86N30T
IXFT86N30T
图。 7.输入导纳
140
120
100
T
J
= 125C
25C
- 40C
200
180
160
140
25C
120
100
80
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
125C
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
80
60
40
V
GS
- 伏特
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
240
10
9
200
8
7
V
DS
= 150V
I
D
= 43A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
160
120
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
6
5
4
3
2
1
80
40
0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1,000.0
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
西塞
R
DS （
on
)
极限
100.0
25s
电容 - 皮法
10,000
1,000
科斯
I
D
- 安培
10.0
100s
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1.0
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
1
10
100
1ms
100m
10ms
1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
