IXFH16N120P
IXFT16N120P
图。 7.输入导纳
16
14
12
T
J
= 125C
25C
- 40C
18
16
14
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
10
8
6
4
2
0
3.5
4.0
4.5
5.0
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
25C
125C
5.5
6.0
6.5
7.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
50
45
40
35
10
9
8
7
V
DS
= 600V
I
D
= 8A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
30
25
20
15
10
5
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻抗
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
10,000
西塞
1,000
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
科斯
0.10
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
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IXYS REF ： F_16N120P （ 85 ） 08年4月3日-A
