HiPerFET
TM
功率MOSFET
单芯片MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低吨
rr
IXFN 80N50
D
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
= 500 V
= 80 A
= 55 m
≤
250纳秒
G
S
S
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25 ℃，芯片能力
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±20
±30
80
320
80
64
6
5
780
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
V~
V~
miniBLOC ， SOT- 227 B（ IXFN ）
E153432
S
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
任miniBLOC的源终端可使用
作为主要或开尔文源
特点
国际标准套餐
miniBLOC ，
用氮化铝
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1毫安
T = 1分
t=1s
2500
3000
坚固的多晶硅栅单元结构
非钳位感应开关（ UIS）
快速内在整流器
应用
DC- DC转换器
评级
低封装电感
隔离
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
安装力矩
终端连接扭矩
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
1.5 / 13牛米/ lb.in 。
30
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
2.5
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
100
2
55
V
V
nA
A
mA
m
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
温度和照明控制
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
版权所有 2003 IXYS所有权利。
DS98538E(12/03)
