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IXFN64N50PD2
IXFN64N50PD3
图。 7.输入导纳
90
80
70
90
80
70
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
60
50
25C
T
J
= 125C
25C
- 40C
125C
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
240
220
200
180
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 32A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1.000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
10,000
1,000
科斯
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.010
0.001
0.01
0.1
1
10
Z
（日） JC
- C / W
0.100
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_64N50P （ 9J ） 09年4月27日
