POLAR
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFN32N120P
V
DSS
= 1200V
I
D25
= 32A
R
DS （ ON）
≤
310mΩ
Ω
≤
300ns
t
rr
miniBLOC
E153432
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
1200
1200
±30
±40
32
100
16
2
20
1000
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
优势
G =门
S =源
G
S
S
D
D =漏
无论源终端S能用作
源终端或开尔文源
（回门）码头。
特点
国际标准套餐
miniBLOC ，用氮化铝
隔离
隔离电压2500
V~
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1mA
T = 1分钟
吨= 1秒
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
安装力矩
终端连接扭矩
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±30V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
1200
3.5
6.5
±300
50
5
V
V
nA
μA
mA
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
高压开关模式和
谐振ModePower用品
高压脉冲电源
应用
在高压放电电路
激光脉冲发生器，火花点火器， RF
发电机
高电压的DC- DC转换器
高电压DC -AC逆变器
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
310 mΩ
2010 IXYS公司，版权所有
DS99718H(03/10)
