IXFN20N120P
图。 7.输入导纳
35
30
25
35
T
J
= - 40C
30
25
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
25C
20
15
10
5
0
125C
20
15
10
5
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
T
J
= 125C
25C
- 40C
0
5
10
15
20
25
30
35
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
60
16
14
50
12
V
DS
= 600V
I
D
= 10A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
40
10
8
6
4
2
0
30
20
10
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
40
80
120
160
200
240
280
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
1.000
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
10,000
1,000
科斯
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
0.100
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
0.010
V
DS
- 伏特
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_20N120P （ 86 ） 08年4月3日-B
