HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q2-Class
N沟道增强模式
额定雪崩，高dv / dt ，低Q
g
低的固有
g
低吨
rr
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装力矩
安装力
TO-264
PLUS247
（ IXFK ）
（ IXFX ）
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
IXFK66N50Q2
IXFX66N50Q2
V
DSS
I
D25
t
rr
R
DS （ ON）
= 500V
= 66A
≤
80mΩ
Ω
≤
250ns
最大额定值
500
500
±
30
±
40
66
264
66
4
20
735
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
TO- 264 （ IXFK ）
G
D
S
（ TAB ）
PLUS247 （ IXFX ）
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
双金属工艺的低门
阻力
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
±
200
T
J
= 125°C
25
3
80
V
V
nA
μA
mA
mΩ
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2008 IXYS公司，保留所有权利。
DS98983B(5/08)
