POLAR
TM
功率MOSFET
HiPerFET
TM
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装力矩
安装力
TO-264
TO-247
（ IXFK ）
（ IXFX ）
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
IXFK32N100P
IXFX32N100P
V
DSS
I
D25
t
rr
R
DS （ ON）
= 1000V
= 32A
≤
320mΩ
Ω
≤
300ns
最大额定值
1000
1000
±
30
±
40
32
75
16
1.5
10
960
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
20..120/4.5..27
10
6
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
牛米/磅。
g
g
TO- 264 （ IXFK ）
G
D
S
（ TAB ）
PLUS247 （ IXFX ）
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
快速内在二极管
国际标准封装
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1000
3.5
6.5
±
200
V
V
nA
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用范围：
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC电机控制
机器人和伺服控制
50
μA
2.5毫安
320 mΩ
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2008 IXYS公司，保留所有权利。
DS99777C(4/08)
