HiPerRF
TM
功率MOSFET
F级：兆赫切换
IXFX 24N100F
IXFK 24N100F
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 1000 V
=
24 A
= 0.39
N沟道增强模式
额定雪崩，低Q
g
，低的固有
g
高dv / dt ，低吨
rr
t
rr
≤
250纳秒
PLUS 247
TM
（ IXFX ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
安装力矩
TO-264
PLUS 247
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 2
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
24
96
24
60
3.0
10
560
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
G
（ TAB ）
D
TO- 264 AA （ IXFK ）
G
D
S
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
射频MOSFET的能力
双金属工艺的低门
阻力
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
快速内在整流器
应用
DC- DC转换器
0.4 / 6牛米/ lb.in 。
6
10
g
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。 （典型值） 。米一X 。
1000
3.0
V
5.5 V
±200 nA的
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
百毫安
3毫安
0.39
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
开关模式和谐振模
电源，开关>500kHz
直流斩波器
脉冲产生
激光驱动器
优势
PLUS 247
TM
包夹子或弹簧
MOUNTING
节省空间
高功率密度
版权所有2002 IXYS所有权利。
98874-A(8/02)
