IXFB 82N60P
图。 7.输入导纳
120
110
100
90
T
J
= 125C
25C
- 40C
160
140
120
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
80
70
60
50
40
30
20
100
80
60
40
20
T
J
= - 40C
25C
125C
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
0
20
40
60
80
100
120
140
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
250
225
200
175
10
9
8
7
V
DS
= 300V
I
D
= 41A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
150
125
100
75
50
25
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
T
J
= 125C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
F = 1 MHz的
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
电容 - 皮法
R
DS （ ON）
极限
国际空间站
25s
100s
I
D
- 安培
10,000
100
OSS
1,000
1ms
10
DC
10ms
RSS
T
J
= 150C
T
C
= 25C
100
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
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