PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
TO- 263 AA （ IXFA ）
IXFA10N80P
IXFP10N80P
IXFQ10N80P
IXFH10N80P
TO- 220AB （ IXFP ）
V
DSS
I
D25
t
rr
R
DS （ ON）
= 800V
= 10A
≤
1.1Ω
Ω
≤
250ns
TO-3P （ IXFQ ）
G
S
D（ TAB ）
G
DS
D（ TAB ）
G
D
S
D（ TAB ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±30
±40
10
30
5
600
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
g
TO- 247 （ IXFH ）
G
D
S
D（ TAB ）
D
=漏
TAB =漏
G =门
S =源
特点
国际标准封装
额定雪崩
低封装电感
易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC马达驱动器
机器人和伺服控制
从案例10秒1.6毫米（ 0.062 ）
塑料机身10秒
安装力矩
TO-263
TO-220
TO-3P
TO-247
(TO-220,TO-247)
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
5.5
6.0
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
800
3.0
5.5
±100
25
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
=
±
30V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
V
GS
= 10V ，我
D
=
0.5
I
D25
注意1
V
V
nA
μA
μA
Ω
500
1.1
2009 IXYS公司，版权所有
DS99432F(08/09)
