14安培低端
超高速MOSFET驱动器
特点
14A峰值源出/吸入驱动电流
宽工作电压范围： 4.5V至35V
-40 ° C至+ 125 °C扩展工作温度
范围
逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
低传播延迟时间
低， 10μA电源电流
低输出阻抗
IXD_614
描述
该IXDD614 / IXDI614 / IXDN614高速门
司机特别适合井用于驱动最新
IXYS MOSFET和IGBT 。每个输出可源
和吸收峰值电流14A ，同时产生的电压
上升和下降小于30ns的时间。内部电路
消除了跨导和电流
"shoot通， "使得驾驶者几乎不受
闭锁。低传播延迟快速上升和下降
时势造IXD_614家庭的理想选择
高频和高功率应用。
该IXDD614被配置为一个非反相驱动器
带使能。该IXDN614被配置为
非反相驱动器和IXDI614被配置为
一个反相驱动器。
该IXD_614系列提供8引脚DIP （ PI ） ，
采用8引脚SOIC封装功率与裸露的金属背（ SI ） ，
5引脚TO- 220 （ CI ） ，以及5引脚TO- 263 （YI ）封装。
应用
高效功率MOSFET和IGBT的开关
开关模式电源
电机控制
DC到DC转换
D类开关放大器器
脉冲变压器驱动器
Pb
RoHS指令
2002/95/EC
e
3
订购信息
产品型号
IXDD614PI
IXDD614SI
IXDD614SITR
IXDD614CI
IXDD614YI
IXDI614PI
IXDI614SI
IXDI614SITR
IXDI614CI
IXDI614YI
IXDN614PI
IXDN614SI
IXDN614SITR
IXDN614CI
IXDN614YI
逻辑
CON组fi guration
IN
EN
OUT
套餐类型
8引脚DIP
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
5引脚TO- 220
5引脚TO- 263
8引脚DIP
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
5引脚TO- 220
5引脚TO- 263
8引脚DIP
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
8引脚SOIC封装功率与裸露的金属回
5引脚TO- 220
5引脚TO- 263
填料
法
管
管
磁带&卷轴
管
管
管
管
磁带&卷轴
管
管
管
管
磁带&卷轴
管
管
QUANTITY
50
100
2000
50
50
50
100
2000
50
50
50
100
2000
50
50
IN
OUT
IN
OUT
DS-IXD_614-R02
www.clare.com
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