应用笔记1454
5.应用脉冲方波的ISTEP_CLK1 ，
ISTEP_CLK2和ISTEP_CLK3 。的占空比
脉冲波形应该是小的（ <5 ％） ，以限制热
应力在电流检测电阻和MOSFET管（Q8 ，
Q9与Q10
输出电容
输出电容
输出电容
或MOSFET
或MOSFET
6.时钟的振幅设置当前步骤
幅度。调整时钟振幅和压摆率设置
当前步骤和转换速率。
相应7.监视器的过冲和下冲
输出。
图2.正确的传感器建立测量输出
纹波和开关节点振铃。
OPT ， SUD50N03-16P
Q10
负载瞬态电路的建立
IST EP_ CLK1
1.选择一个DPAK封装的N沟道MOSFET与VDSS
击穿> 20V 。
2.安装负载瞬态电路上所指示的
原理图。请参考图3详细信息。
3. R12，R14 ，R16是10kΩ的电阻，用于排放
MOSFET栅极。
4. R13， R15和R17是电流检测电阻来
监控负载阶跃。为了精确测量，请
用5 ％的公差检测电阻或更好。为了缓解
热应力，用0.1Ω或更小的阻力。该
的传感电阻器的电阻设置电流刻度
在示波器上。
1
1
J17
R14
OPT ， 10K
R15
OPT ， 0.01
2
J18
ISTEP1
V
IN
= 19VDC
V
IN
= 16VDC
V
IN
= 23VDC
2
4
6
8
10
12
14
图3.负载瞬态电路是否PWM1
典型的评估板性能曲线
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
IN
= 19VDC
V
IN
= 16VDC
V
IN
= 9V，除非另有规定。
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
V
IN
= 23VDC
0
2
16
负载电流（A ）
负载电流（A ）
图4. PWM1效率vs负载（V
O
= 5.0V)
图5. PWM2效率vs负载（V
O
= 3.3V)
3
AN1454.0
2009年9月25日
