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ISL85033
电气规格
T
A
= -40 ° C至+ 85°C ，V
IN
= 4.5V至28V ，除非另有说明。典型值是在
T
A
= +25°C.
黑体字限额适用于工作温度范围为-40° C至
+ 85°C （续）
符号
测试条件
SS1 / 2 = VDD
I
SS
上升
秋天
的软启动时间百分比
ISINK = 3毫安
82.5
民
（注8）
1.5
1.4
典型值
2.5
2
最大
（注8）单位
3.5
2.6
ms
A
参数
软启动斜坡时间
软启动充电电流
电源良好
PG1 ， PG2旅行PG级以
PGOOD1 ， PGOOD2
PG1 ， PG2传播延迟
PG1 ， PG2低电压
使能输入
EN1 ， EN2漏电流
EN1 ， EN2输入阈值电压
91
85.5
10
100
94
%
%
%
300
mV
EN1 / 2 = 0V / 5V
低层
浮球液位
高层
-1
1
0.8
A
V
V
V
1.0
2
1.4
SYNC输入/输出
SYNCIN输入阈值
下降沿
上升沿
迟滞
SYNCIN漏电流
SYNCIN脉冲宽度
SYNCOUT相移，以SYNCIN
SYNCOUT频率范围
SYNCOUT输出电压高
SYNCOUT输出电压低
故障保护
热关断温度
T
SD
T
HYS
过电流保护阈值
OCP消隐时间
功率MOSFET
高边
内部BOOT1 ， BOOT2刷新
低边
相漏电电流
相上升时间
注意事项：
6.测试条件： V
IN
= 28V ， FB被迫上述规定点（ 0.8V ） ，无开关和功率MOSFET的栅极充电电流
不包括在内。
7，成立由双方电流检测放大器增益测试和电流检测放大器输出测试@我
L
= 0A.
8.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制成立
经鉴定，不生产测试。
t
上升
R
HDS
R
LDS
I
相
= 100毫安
I
相
= 100毫安
EN1 / 2 = PHASE1 / 2 = 0V
V
IN
= 25V
10
75
1
300
150
mΩ
Ω
nA
ns
阈值上升
迟滞
（注7 ）
4.1
150
20
5.1
60
6.1
°C
°C
A
ns
ISYNCOUT = 3毫安
从上升沿到上升沿测
边缘，如果占空比为50 ％
600
V
CC
- 0.3
V
CC
-0.08
0.08
0.3
SYNCIN = 0V / 5V
100
180
4000
1.1
1.4
1.6
200
10
1000
1.9
V
V
mV
nA
ns
°
千赫
V
V
9
FN6676.2
2010年12月8日
