IRLZ24S ， IRLZ24L ， SiHLZ24S ， SiHLZ24L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
()
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5 V
18
4.5
12
单身
D
特点
60
0.10
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
=表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
逻辑电平栅极驱动器
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4 V和5 V
175 ° C工作温度
快速开关
符合RoHS指令2002/95 / EC
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的
的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性和功耗最高
在一个典型的表面为2.0W安装应用程序。
通孔版（ IRLZ24L ， SiHLZ24L ）可
低配置文件应用程序。
I
2
PAK （ TO- 262 ）
SiHLZ24L-GE3
IRLZ24LPbF
SiHLZ24L-E3
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK （ TO-263 ）
描述
G
G
D
S
D
S
G
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
铅（Pb ） - 免费
D
2
PAK （ TO-263 ）
SiHLZ24S-GE3
-
-
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
最大功率耗散（ PCB安装）
e
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
V
GS
在5 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 10
17
12
68
0.40
0.025
110
60
3.7
4.5
- 55 + 175
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 444 μH ，R
g
= 25
,
I
AS
= 17 A（见图12 ） 。
C.我
SD
17 A， di / dt的
140 A / μs的，V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90416
S11-1044 -REV 。 C， 30日， 11
www.vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
