IRLH5036PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
BV
DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
政府飞行服务队
Q
g
Q
g
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
OSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
栅极阈值电压系数
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
正向跨导
总栅极电荷
总栅极电荷
预Vth的栅极 - 源极充电
后Vth的栅极至源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电荷过载
切换电荷（Q
gs2
+ Q
gd
)
输出充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
60
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
109
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.07
3.7
4.6
–––
-6.6
–––
–––
–––
–––
–––
90
44
9.5
4.5
18
12
23
21
1.2
23
48
28
15
5360
600
250
MAX 。单位
条件
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1.0毫安
4.4
V
GS
= 10V ，我
D
= 50A
m
5.5
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 50A
2.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 150A
---毫伏/°C的
20
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
250
V
GS
= 16V
100
nA
-100
V
GS
= -16V
–––
s V
DS
= 25V ，我
D
= 50A
–––
NC V
GS
= 10V, V
DS
= 30V ，我
D
= 50A
66
–––
V
DS
= 30V
–––
V
GS
= 4.5V
nC
–––
I
D
= 50A
–––
–––
–––
NC V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
e
e
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
V
DD
= 30V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 50A
R
G
=1.7
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
pF
雪崩特性
E
AS
I
AR
参数
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
d
分钟。
–––
–––
典型值。
–––
–––
典型值。
–––
–––
马克斯。
286
50
单位
mJ
A
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
MAX 。单位
100
h
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
A
400
–––
–––
1.3
V
–––
28
42
ns
–––
134
201
nC
时间是由寄生电感为主
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 50A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 50A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 500A / μs的
S
e
e
热阻
R
θJC
（底部）
R
θJC
（ TOP）
R
θJA
R
θJA
(<10s)
结到外壳
结到外壳
结到环境
结到环境
f
f
参数
g
g
典型值。
–––
–––
–––
–––
马克斯。
0.5
15
35
22
单位
° C / W
2
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