IRFZ44R ， SiHFZ44R
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
67
18
25
单身
D
特点
60
0.028
先进的工艺技术
可用的
超低导通电阻
RoHS指令*
动态的dv / dt额定值
柔顺
175°C的工作温度
快速开关
全额定雪崩
滴在更换IRFZ44 ， SiHFZ44的
线性/音频应用
符合RoHS指令2002/95 / EC
TO-220AB
描述
Vishay的先进的功率MOSFET采用先进的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计，
功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供
以一种极其有效的和可靠的装置，用于在一个使用
各种各样的应用。
在TO- 220AB封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平，以约50瓦的低热阻
和TO- 220AB低封装成本有助于其
整个行业的广泛认可。
G
G
D
S
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-220AB
IRFZ44RPbF
SiHFZ44R-E3
IRFZ44R
SiHFZ44R
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流
e
V
GS
在10 V
T
C
= 100 °C
连续漏电流
a
漏电流脉冲
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
c
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结存储温度范围
10秒
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
6-32或M3螺丝
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
60
± 20
50
36
200
1.0
100
150
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 44 μH ，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 51 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
51 A，的dV / dt
≤
250 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于包装， （死亡电流= 51 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91292
S11-0517 -REV 。 B， 21 -MAR- 11
www.vishay.com
1
将该数据资料如有更改，恕不另行通知。
和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
