IRFP048 ， SiHFP048
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
110
29
38
单身
D
特点
60
0.018
动态的dv / dt额定值
隔离中心安装孔
175 ° C的工作温度
易于并联的
简单的驱动要求
符合RoHS指令2002/95 / EC
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该
TO-247AC
包
is
首选
为
商业，工业应用高功率
水平排除使用的TO- 220AB设备。该
TO- 247AC类似，但优于早期的TO- 218
包，因为它的分离的安装孔中。它也提供
销，以满足之间更大的爬电距离
最安全规范要求。
TO-247AC
G
S
D
G
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247AC
IRFP048PbF
SiHFP048-E3
IRFP048
SiHFP048
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
10秒
6-32或M3螺丝
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
d
安装力矩
T
C
= 25 °C
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
60
± 20
70
52
290
1.3
200
190
4.5
- 55 + 175
300
10
1.1
W / ℃，
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 43 μH ，R
g
= 25
Ω,
I
AS
= 73 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
72 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
。目前受限于封装（芯片电流= 73 A） 。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91198
S11-0447 -REV 。 B， 3月14日11
www.vishay.com
1
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和描述一下产品数据表受到特定免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
