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PD - 96213
IRFB4410ZGPbF
HEXFET
功率MOSFET
应用
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
改进的门,雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
l
无卤
G
D
G
S
V
DSS
R
DS ( ON)
典型值。
马克斯。
I
D(硅有限公司)
D
100V
7.2m
:
9.0m
:
97A
G
D
S
TO-220AB
IRFB4410ZGPbF
D
S
来源
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流, V
GS
@ 10V (硅有限公司)
连续漏电流, VGS @ 10V (硅有限公司)
漏电流脉冲
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
( 1.6毫米的情况下)
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
马克斯。
97
69
390
230
1.5
± 20
16
-55 + 175
300
10lbf在( 1.1N M)
242
参见图。 14,15, 22A,22B,
单位
A
W
W / ℃,
V
V / ns的
e
°C
x
x
雪崩特性
E
AS (限热)
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
d
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
外壳到散热器,平板油脂润滑表面, TO- 220
结到环境, TO- 220
i
参数
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.65
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
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01/06/09
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