PD -94159A
IRF7756
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
超低导通电阻
双P沟道MOSFET
超小型SOIC封装
薄型（ < 1.2毫米）
可在磁带卷&
V
DSS
-12V
R
DS （ ON）
最大
0.040@V
GS
= -4.5V
0.058@V
GS
= -2.5V
0.087@V
GS
= -1.8V
I
D
±
4.3A
±
3.4A
±
2.2A
描述
HEXFET
国际整流器功率MOSFET
利用先进的加工技术，以实现EX-
tremely低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合加固装置的设计，即间
国家整流器是众所周知的，
提供thedesigner
1
2
3
4
1=
2=
3=
4=
D1
S1
S1
G1
8=
7=
6=
5=
8
7
6
5
D2
S2
S2
G2
用一个非常有效和可靠的装置，用于
电池和负载管理。
采用TSSOP -8封装少45％的占位面积比
标准的SO- 8 。这使得TSSOP - 8的理想
其中，印刷电路板空间设备的应用
是十分宝贵的。低调（ <1.1毫米）允许它适应
易成非常薄的环境中，例如便携
电子和PCMCIA卡。
TSSOP-8
绝对最大额定值
参数
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
V
GS
T
J
, T
英镑
漏源电压
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
连续漏电流， V
GS
@ -4.5V
漏电流脉冲
最大功率耗散
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
结温和存储温度范围
马克斯。
-12
-4.3
-3.5
-17
1.0
0.64
8.0
±8.0
-55到+150
单位
V
A
W
W
毫瓦/°C的
V
°C
热阻
参数
R
θJA
最大结点到环境
马克斯。
125
单位
° C / W
www.irf.com
1
3/17/04
