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AT90S/LS8535
串行编程
特征
图73 。
串行编程时序
MOSI
t
OVSH
SCK
MISO
t
SLIV
t
SHSL
t
SHOX
t
SLSH
表43 。
串行编程特性，T
A
= -40
°
C至85
°
C，V
CC
= 2.7 - 6.0V
（除非另有说明）
符号
1/t
CLCL
t
CLCL
1/t
CLCL
t
CLCL
t
SHSL
t
SLSH
t
OVSH
t
SHOX
t
SLIV
参数
振荡器频率（V
CC
= 2.7 - 6.0V)
振荡器周期（V
CC
= 2.7 - 4.0V)
振荡器频率（V
CC
= 4.0 - 6.0V)
振荡器周期（V
CC
= 4.0 - 6.0V)
SCK脉冲宽度高
SCK脉冲宽度低
MOSI设置到SCK高
SCK高后MOSI保持
SCK低到MISO有效
民
0
250.0
0
125.0
2.0 t
CLCL
2.0 t
CLCL
t
CLCL
2.0 t
CLCL
10.0
16.0
32.0
8.0
典型值
最大
4.0
单位
兆赫
ns
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表44 。
芯片擦除指令之后等待至少延迟
符号
t
WD_ERASE
3.2V
18毫秒
3.6V
14毫秒
4.0V
12毫秒
5.0V
8毫秒
表45 。
写一个Flash或EEPROM的位置后，等待至少延迟
符号
t
WD_PROG
3.2V
9毫秒
3.6V
7毫秒
4.0V
6毫秒
5.0V
4毫秒
103
1041H–11/01
