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650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPx65R660CFD
电气特性图
表14
典型值。输出特性
T
j
=25 °C
典型值。输出特性
T
j
=125 °C
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 25°C ;参数：
V
GS
表15
典型值。漏源导通电阻
I
D
= F（V
DS
);
T
j
= 125°C ;参数：
V
GS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
= 125°C ;参数：
V
GS
R
DS （ ON）
= F （T
j
);
I
D
=2.1 A;
V
GS
=10 V
最终数据手册
10
2.0版本， 2011-02-01
