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IPD30N08S2L-21
9典型。漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= F （T
j
)
参数：
I
D
= 25 A; V
GS
= 10 V
40
10典型。栅极阈值电压
V
GS （ TH）
= F （T
j
);
V
GS
=
V
DS
参数：
I
D
2.5
2
30
400 A
R
DS （ ON）
[m]
V
GS （ TH）
[V]
1.5
80 A
20
1
10
0.5
0
-60
-20
20
60
100
140
180
0
-60
-20
20
60
100
140
180
T
j
[°C]
T
j
[°C]
11典型。电容
C
= F（V
DS
);
V
GS
= 0 V;
f
= 1兆赫
12典型正向二极管characteristicis
IF = F（V
SD
)
参数：
T
j
10
4
10
3
西塞
10
3
10
2
C
[ pF的]
科斯
CRSS
10
2
I
F
[A]
10
1
175 °C
25 °C
10
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
DS
[V]
V
SD
[V]
1.0版
第6页
2006-07-18
