第二代的thinQ ！ 碳化硅肖特基二极管
IDY15S120
电气特性图
表9
典型值。电容充电与电流斜率
1)
（每站）
典型值。反向电流与反向电压（每腿）
Q
D
=f(diF/dt)4);
T
j
= 150 °C;
I
F
≤
I
F最大
;
每台设备的价值翻倍
1 ）只有电容充电现象发生，通过设计保证
I
R
= F（V
R
);
参数：
T
j
;
每台设备的价值翻倍
表10
典型值。瞬态热阻抗（每站）
典型值。瞬态热阻抗（每个装置）
Z
thJC
= F （T
P
)
;
参数： D =
t
P
/
T
最终数据手册
8
Z
thJC
= F （T
P
)
;
参数： D =
t
P
/
T
2.0版本， 2011-02-28
