IDT79R4700
功耗- RV4700
参数
系统
条件
待机
RV4700 100MHz的
典型
1
最大
RV4700 133MHz的
典型
1
RV4700 150MHz的
典型
1
最大
最大
条件
100/25MHz
—
—
575mA
2
650mA
2
650mA
2
125mA
2
175mA
2
875mA
2
1100mA
2
1275mA
4
133/33MHz
—
—
775mA
2
850mA
2
850mA
2
175mA
2
225mA
2
1150mA
2
1375mA
2
1525mA
4
—
—
150/38MHz
200mA
2
250mA
2
1300mA
2
1550mA
2
1725mA
2
C
L
= 0pF
3
C
L
= 50pF的
—
I
CC
活跃
875mA
2
950mA
2
950mA
2
C
L
= 0pF ，没有的SysAD活动
3
C
L
= 50pF的R4x00兼容的写入，T
C
= 25
o
C
3
C
L
= 50pF的流水线写或写补发，T
C
= 25
o
C
1.
典型的整数指令
2.
3.
混合和高速缓存命中率。
这些未经测试。他们是工程分析的结果，仅供参考。
通过设计保证。
测试以确保合规性。
4.
这些规格的IDT
参数
系统条件
待机
RV4700 175MHz的
典型
1
最大
RV4700 200MHz的
典型
1
最大
条件
—
C
L
= 0pF
3
C
L
= 50pF的
C
L
= 0pF ，没有的SysAD活动
3
C
L
= 50pF的R4x00兼容的写入，T
C
= 25
o
C
3
C
L
= 50pF的流水线写或写补发，T
C
= 25
o
C
175/44MHz
—
—
1025mA
2
1200mA
2
1200mA
2
200mA
2
250mA
2
1500mA
2
1800mA
2
2000mA
4
—
—
200/50MHz
200mA
2
250mA
2
1500mA
2
1800mA
2
2000mA
4
I
CC
活跃
1025mA
2
1200mA
2
1200mA
2
1.
典型的整数指令结构，缓存命中率。
2.
3.
这些未经测试。他们是工程分析的结果，仅供参考。
通过设计保证。
有规格IDT测试，以确保合规性。
4.
这些
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2001年4月10日
