IDT707278S/L
32K ×16行切换的双端口SRAM与外部银行选择
工业和商业温度范围
真值表I - 芯片使能
(1,2,3,4)
CE
CE
0
V
IL
L
＆ LT ; 0.2V
V
IH
H
X
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
CE
1
V
IH
＆ GT ; V
CC
-0.2V
X
V
IL
X
<0.2V
端口选择（ TTL活动）
端口选择（ CMOS有源）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ TTL无效）
端口取消（ CMOS无效）
端口取消（ CMOS无效）
模式
注意事项：
1.芯片使能引用上面显示与实际
CE
0
和CE
1
的水平，
CE
只是一个参考。
2.端口"A"和"B"引用位于何处
CE
被使用。
3. "H" = V
IH
和"L" = V
IL
.
4.
CE
和
MBSEL
不能活动在同一时间。
真值表II - 非争读/写控制
输入
(1)
输出
CE
(2)
H
读/写
X
OE
X
UB
X
LB
X
MBSEL
H
I / O
8-15
I / O
0-7
注意事项：
1. BA
0L
- BA
1L
BA
0R
- BA
1R
：不能同时从两个端口访问同一家银行。
2.参考真值表I.
3.
CE
和
MBSEL
不能同时处于活动状态的同时。
真值表III - 邮箱读/写控制
(1)
输入
CE
(2)
H
H
H
L
读/写
H
H
L
X
OE
L
L
X
X
UB
X
(3)
L
L
(3)
X
LB
X
(3)
L
L
(3)
X
MBSEL
L
L
L
L
I / O
8-15
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
____
D
E
S
N N
E G
M SI
M E
O D用
C
东西
T N
O
N
高-Z
高-Z
高-Z
Deselcted ：掉电
X
(3)
X
L
X
H
L
H
X
(3)
高-Z
两个字节取消选择
L
X
H
L
H
数据
IN
高-Z
高-Z
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
L
L
X
H
L
L
H
数据
IN
数据
IN
高-Z
L
L
L
X
L
L
H
数据
IN
H
H
L
H
数据
OUT
高-Z
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
L
H
L
H
L
H
数据
OUT
L
H
L
L
H
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
高-Z
X
(3)
X
H
X
X
X
(3)
输出禁用
R
O
F
3739 TBL 02
模式
3739 TBL 03
输出
I / O
0-7
数据
OUT
数据
OUT
数据
IN
____
模式
从邮箱读取数据，
↓
清除中断
从邮箱读取数据，
↓
清除中断
将数据写入到邮箱
不允许
3739 TBL 04
注意事项：
1.有从所有的I / O的（我写和读每端口4的邮箱位置/ O
0
-I / O
15
） 。这四个邮箱被A处理
0
-A
5.
参考
真值表V.
2.参考真值表I.
3.每个邮箱位置包含一个16位的字，可控的以字节为单位设置的输入电平，以
UB
和
LB
适当。
6.42
4
