ICTE5通ICTE18C ， 1N6373 1N6386直通

威世通用半导体

T

RANS

Z

ORB

瞬态电压抑制器

特点

玻璃钝化结

=可用

in

单向

和

双向

1500瓦峰值脉冲功率能力

与10/1000微秒波形，重复

率（占空比） ：0.01％

出色的钳位能力

非常快的响应时间

低增量浪涌电阻

浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106

AEC- Q101标准

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

了解更多有关Vishay的汽车级

产品要求在：

www.vishay.com/applications

典型应用

使用对电压敏感的电子设备保护

诱发感性负载开关瞬变

和照明的芯片， MOSFET ，传感器的信号线

单位消费，计算机，工业和

电信。

机械数据

案例：

环氧树脂成型机身超过钝化路口

塑封料符合UL 94 V- 0阻燃

等级

底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级

底座P / NHE3 - 符合RoHS标准，汽车级

终端：

雾锡镀线索，每焊

J- STD- 002和JESD 22 - B102

E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验， HE3

后缀符合JESD 201级2晶须测试

极性：

对于单向类型的色带

端为负极，在双向无标记

类型

机箱样式1.5KE

主要特征

V

WM

P

PPM

P

D

I

FSM

T

J

马克斯。

5.0 V至18 V

1500 W

6.5 W

200 A

175 °C

用于双向应用的器件

对于双向类型，用C后缀（如ICTE18C ） 。

电特性的应用中是双向的。

最大额定值

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

峰值脉冲功率耗散与10/1000微秒波形

(1)

（图1）的

峰值脉冲电流具有10/1000 μs的波形

(1)

（图3）的

在无限散热器在T功耗

L

= 75℃ （图8）的

只有峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波单向

(2)

在100 A最大瞬时正向电压仅为单向

工作结存储温度范围

笔记

(1)

非重复电流脉冲，每个图3及以上的牛逼降额

A

= 25 ℃，每图。 2

(2)

8.3ms单一正弦半波，占空比= 4个脉冲每分钟最高

文档编号： 88356

修订： 07 -月- 10

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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

www.vishay.com

1

符号

P

PPM

I

PPM

P

D

I

FSM

V

F

T

J

, T

英镑

极限

1500

看下表

6.5

200

3.5

- 55 + 175

单位

W

A

W

A

V

°C