初步
集成
电路
系统公司
ICS844003I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-LVDS
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
典型
350
0
1.4
0
50
40
最大
单位
mV
mV
V
mV
T
ABLE
4C 。 LVDS DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO_A
= V
DDO_B
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
V
OD
Δ
V
OD
V
OS
Δ
V
OS
参数
差分输出电压
V
OD
幅度变化
失调电压
V
OS
幅度变化
T
ABLE
5. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
FB_DIV = 20 ÷
FB_DIV = 24 ÷
28
23.33
测试条件
最低
典型
基本
35
29.16
50
7
1
兆赫
兆赫
Ω
pF
mW
最大
单位
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振CR石英晶体特点。
T
ABLE
6. AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= V
DDO_A
= V
DDO_B
= 3.3V ± 5 ％ ， TA = -40°C
TO
85°C
符号
参数
测试条件
输出分= 1 ÷
f
OUT
输出频率范围
输出分频器= ÷ 2
输出分频器= ÷ 4
输出分频器= ÷ 5
t
SK （ B）
t
SK （ O）
银行倾斜，注1
输出偏斜;注2： 4
输出@同频
@输出不同频率
625MHz的（ 1.875MHz - 为20MHz ）
t
JIT （ φ ）
RMS相位抖动（随机） ;
注3
输出上升/下降时间
312.5MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）
156.25MHz （ 1.875MHz - 为20MHz ）
125MHz的（ 1.875MHz - 为20MHz ）
t
R
/ t
F
20 ％至80％
最低
560
28 0
140
112
3
15
30
0.55
0.59
0.63
0.64
325
典型
最大
700
350
175
140
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
ps
%
ODC
输出占空比
50
注1 ：在相同的电压，并以同样的负载条件定义为扭曲的产出银行内。
注2 ：定义为输出之间的偏移，在相同的电源电压，并以相等的负载条件。
测得的输出差分交叉点。
注3 ：请参考相位噪声图。
注4 ：该参数定义符合JEDEC标准65 。
844003AGI
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REV 。 B 2005年8月25日
