集成
电路
系统公司
ICS8402I
350MH
Z
, C
RYSTAL
-
TO
-LVCMOS / LVTTL
F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
V
DD
, V
DDA
, V
DDO
= 3.465V
V
DD
, V
DDA
= 3.465V, V
DDO
= 2.625V
最低
典型
4
13
11
51
51
V
DDO
= 3.465V
V
DDO
= 2.625V
5
7
7
12
最大
单位
pF
pF
pF
K
K
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
T
ABLE
3A 。 P
ARALLEL和
S
ERIAL
M
ODE
F
油膏
T
ABLE
输入
MR
H
L
L
L
L
L
L
L
nP_LOAD
X
L
↑
H
H
H
H
H
M
X
数据
数据
X
X
X
X
X
N
X
数据
数据
X
X
X
X
X
S_LOAD
X
X
L
L
↑
↓
L
H
S_CLOCK
X
X
X
↑
L
L
X
↑
S-DATA
X
X
X
数据
数据
数据
X
数据
复位。强制输出低电平。
上直接传递到M M和N个输入数据
分频器和N分频器的输出。测试输出被拉低。
数据被锁存到输入寄存器和保持加载
到明年LOW过渡，或者直到一个串口事件发生。
串行输入模式。移位寄存器装入数据
S-DATA上S_CLOCK的每个上升沿。
移位寄存器的内容被传递到
M分频器和N分频器的输出。
M分频器和N分频器的输出值被锁存。
并行或串行输入不影响移位寄存器。
S-DATA直接传递到M分频器，它的时钟频率。
条件
注：L =低
H = HIGH
X =不关心
↑
=上升沿转变
↓
=下降沿
8402AYI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2004年12月23日
