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集成
电路
系统公司
ICS8421002I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
-
HSTL F
Characteristic低频
S
YNTHESIZER
测试条件
最低
1.0
0
40
0.6
典型
最大
1.5
0.5
60
1.3
单位
V
V
%
V
T
ABLE
3D 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
V
OH
V
OL
V
OX
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出电压交叉;注2：
峰至峰输出电压摆幅
V
摇摆
注1 ：输出端接50
Ω
到地面。
注2 ：定义的相对于输出电压摆幅在给定的条件。
T
ABLE
3E 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号参数
V
OH
V
OL
V
OX
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出电压交叉;注2：
测试条件
最低
0.8
0
40
0.5
典型
最大
1.5
0.6
60
1.5
单位
V
V
%
V
峰至峰输出电压摆幅
V
摇摆
注1 ：输出端接50
Ω
到地面。
注2 ：定义的相对于输出电压摆幅在给定的条件。
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
注：使用一个18pF之并联谐振晶体特征。
23.33
测试条件
最低
典型
26.5625
最大
28.33
50
7
1
单位
兆赫
Ω
pF
mW
基本
8421002AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2006年2月7日
