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S3A THRU S3M

威世通用半导体

100

100

T

J

= 25 °C

脉冲

宽度

= 300

s

1 ％占空比

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50毫伏

p-p

正向电流（A ）

10

1

0.1

结电容（pF ）

10

0.01

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

1.3

1

10

100

正向

电压

(V)

反向

电压

(V)

图。 3 - 典型的正向特性

图。 5 - 典型结电容

100

100

10

T

J

= 125 °C

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

瞬时反向电流（ μA ）

10

1

1

T

J

= 25 °C

0.1

0

20

40

60

80

100

安装在0.20" X 0.27" （5毫米× 7毫米）

铜焊盘区

0.1

0.01

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图。 4 - 典型的反向特性

图。 6 - 典型的瞬态热阻抗

包装外形尺寸

以英寸（毫米）

DO- 214AB （ SMC）的

阴极带

贴装焊盘布局

0.185 （ 4.69 ）最大。

0.126 (3.20)

0.114 (2.90)

0.246 (6.22)

0.220 (5.59)

0.126 （ 3.20 ）最低。

0.280 (7.11)

0.260 (6.60)

0.012 (0.305)

0.006 (0.152)

0.103 (2.62)

0.079 (2.06)

0.060 (1.52)

0.030 (0.76)

0.008 (0.2)

0 (0)

0.320 (8.13)

0.305 (7.75)

0.060 （ 1.52 ）最低。

0.320 （ 8.13 ） REF 。

文档编号： 88713

修订： 18 -APR- 11

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