位置：首页 > IC型号导航 > 首字符H型号页 > 首字符H的型号第0页 > HMC742LP5E_10 > HMC742LP5E_10 PDF资料 > HMC742LP5E_10 PDF资料1第7页
HMC742LP5E
v05.0610
0.5分贝LSB的GaAs MMIC 6位数字
可变增益放大器， 70 MHz的 - 4 GHz的
上电状态
如果LE设置为逻辑低电平上电时，逻辑状态
PUP1和PUP2决定了加电状态
每PUP真值表的一部分。如果LE设置为逻辑高电平
在上电时， D0 D5的逻辑状态确定的
每真值表的部分电状态。该DVGA
锁定在所需电状态约
上电后200毫秒。
PUP真值表
LE
0
0
0
0
1
PUP1
0
1
0
1
X
PUP2
0
0
1
1
X
获得相对最大
收益
-31.5
-24
-16
插入损耗
0至-31.5分贝
上电序列
12
可变增益放大器 - 数字 - SMT
理想的上电顺序为： GND ，VDD数字
输入， RF输入接口。数字的相对顺序
输入不是重要的，只要它们是电动
VDD / GND后
注意： D0的逻辑状态 - D5确定
下面，当LE显示每真值表电状态
高在上电时。
绝对最大额定值
RF输入功率在最大增益
[1]
数字输入（复位，移位时钟，
锁存使能&串行输入）
偏置电压（VDD ）
集电极偏置电压（VCC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免13.3毫瓦/ ° C以上85°C ）
[2]
热阻
[3]
储存温度
工作温度
17.5 dBm的（T = 85 ° C）
-0.5 VDD + 0.5V
5.6V
5.5V
175 °C
1.2 W
75.6 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
真值表
控制电压输入
D5
高
高
高
高
高
高
低
低
D4
高
高
高
高
高
低
高
低
D3
高
高
高
高
低
高
高
低
D2
高
高
高
低
高
高
高
低
D1
高
高
低
高
高
高
高
低
D0
高
低
高
高
高
高
高
低
收益
相对于
最大
收益
0分贝
-0.5分贝
1分贝
-2分贝
-4分贝
-8分贝
-16分贝
-31.5分贝
[1 ]的最大RF输入功率的增加相同的量
增益减小。在任何状态下的最大输入功率不
超过28 dBm的。
[2] ，该值不包括在所述RF功率耗散
衰减器。在衰减器的损耗取决于状态
衰减器。在衰减器的损耗应该包括以
确定在该部分的总功耗。
[3 ]该值不包括在所述RF功率耗散
衰减器。在的不同状态的热阻
衰减器可以基于音符来确定[2]
在上述状态中的任何组合将提供在减少
增益近似等于所选择的比特的总和。
控制电压表
状态
低
高
VDD = 3V +
0 0.5V @ <1 μA
2 3V @ <1 μA
VDD = 5V +
0 0.8V @ <1 μA
2 5V @ <1 μA
偏压
Vdd的（V）的
+5.0
VS （ V）
+5.0
国际直拨电话（典型值） （ MA）
2
是（毫安）
150
静电敏感器件
观察处理注意事项
12 - 7
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
