HIP1020
数据表
1999年8月
网络文件编号
4601.1
单，双或三输出热插拔
调节器
该HIP1020应用线性电压斜坡之门
的3.3V ， 5V和12V MOSFET的任意组合。该
内部电荷泵双打12V的偏置或三倍一个5V偏置
当使用以提供所需的高边驱动能力
更具成本效益的N沟道MOSFET 。在5V / ms的斜坡
率在内部控制，并且适当的值，以打开
设备- BAY-特定网络版的di / dt限制之内的大多数设备。如果一个
较慢的速度是必需的，在内部确定的斜坡率
可以使用一个可选的外部电容器超过缠身。
当VCC = 12V时，电荷泵坡道上的电压
在大约4ms的从零至22V HGATE 。这使得无论是
标准或逻辑电平MOSFET成为全面增强
作为一个高边开关的12V电源控制一起使用时。该
电压LGATE斜坡从零到16V ，允许
同时控制3.3V和/或5V的MOSFET 。
当VCC = 5V时，电荷泵输入电压三倍
模式。在HGATE斜坡12.5V的电压从零
约3毫秒，而LGATE坡道12.0V 。这种模式是理想的
对于高边MOSFET控制在3.3V开关使用，
在12V偏压不可用5V电源开关。
特点
上升时间控制装置湾特定网络阳离子
无需额外的组件
内部电荷泵驱动N沟道MOSFET
驱动器之一，两个或三个输出的任意组合
内部控制的开启，在坡道
- 可选的电容选择速度较慢
防止错误打开在热插入
可使用12V或5V偏置
提高设备湾外围尺寸成本和复杂性
- 最少的元件数目
- 小巧的5引脚SOT23封装
控制标准和逻辑电平MOSFET
兼容TTL和3.3V逻辑器件
关断电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 < 1μA
工作电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 < 3毫安
应用
设备外设湾
热插拔控制
配电控制
订购信息
部分
数
HIP1020CK-T
温度。
RANGE （
o
C)
0到70
包
5 Ld的SOT23封装胶带
和卷轴
PKG 。
号
P5.064
引脚
HIP1020 （ SOT23 ）
顶视图
1
2
3
4 HGATE
5 EN
VCC
GND
LGATE
典型应用
HIP1020
1
2
3
V
12
4
3
V
12,OUT
V
5
V
5
V
33
V
5,OUT
V
33
V
33,OUT
V
33,OUT
V
5,OUT
4
收费
泵
5
启用
HIP1020
可选
C1
2
1
收费
泵
5
启用
可选
C1
图1A 。 DEVICE - BAY热插拔控制器与
VCC = 12V
图1B 。 DEVICE - BAY热插拔控制器与
VCC = 5V
2-1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
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版权
Intersil公司1999
