汕头华汕电子器件有限公司。
HFP840
N沟道增强型网络场效晶体管
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概述
这些功率MOSFET是专为高电压，高转速动力
开关应用，如开关稳压器，转换器，
电磁阀和继电器驱动器。
和DC- DC&DC - 交流
转换器
电信，工业和消费环境
TO-220
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特点
8A ， 500V ，R
DS
（上）
<0.
8@V
GS
= 10 V
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
同等类型： IRF840
1克2- -D 3 -S
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最大额定值
（Ta=25
℃
除非另有规定编）
T
英镑
--storage
温度------------------------------------------------- -----
-55~150℃
T
j
■工作
结温------------------------------------------------ - 150 ℃
V
DSS
——
漏源电压---------------------------------------------- ------------ 500V
V
DGR
——
漏，栅极电压（R
GS
= 20kΩ的） ----------------------------------------------- ------------- 500V
V
GSS
——
栅源电压---------------------------------------------- ----------------------------
±
20V
I
D
——
漏电流（连续） --------------------------------------------- -------------------------- 8A
P
D
——
最大功率耗散----------------------------------------------- ---------------- 125W
I
AR
——
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度有限的Tj最高， < 1 ％ ） ------------------------------------- ------------------ 8的
E
AS
——
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ℃ ，我
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V） ---------------------------------------------- ----- 320毫焦耳
E
AR
——
重复性雪崩能量（脉冲宽度有限的Tj最高，D < 1 ％ ） ---------------- 13.4mJ
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热特性
符号
Rthj情况
Rthj - AMB
RTH C-S
项
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
TO-220
最大1.0
最大62.5
典型值
0.5
单位
℃/W
℃/W
℃/W
