UCD8220 ， UCD8620
www.ti.com
SLUS652B - 2005年3月 - 修订2005年9月
典型特性（续）
内部斜率补偿CMC中
vs
温度
0.146
PWM偏移CTRL输入
vs
温度
0.532
在CMC内部斜率补偿 - V / ms的
电流模式斜率，
R
ISET
= 100 k
0.144
0.530
PWM偏移CTRL输入
V
25
0
25
50
75
100
125
0.528
0.142
0.526
0.140
0.524
0.138
0.522
0.520
0.136
0.134
50
T
J
温度
°C
0.518
50
25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度 -
°C
图36 。
高压电流JFET
vs
温度
V
DD
= 12 V
图37 。
V
I
= 76 V
源电流 - 毫安
待定
V
I
= 18 V
50
25
0
25
50
75
100
125
T
J
- 温度 -
°C
图38 。
17
