恩智浦半导体
HEF4894B
12级移位 - 和 - 存储寄存器中的LED驱动器
时钟输入
数据输入
选通输入
OUTPUT ENABLE
输入
内部Q0S
(FF 1)
QP0输出
内部Q10S
(FF 11)
QP10输出
串行QS1
产量
串行QS2
产量
001aag121
图5 。
时序图
8.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DD
I
IK
V
I
I
OK
参数
电源电压
输入钳位电流
输入电压
输出钳位电流
QSN输出; V
O
＆ LT ;
0.5
V或V
O
＆ GT ; V
DD
+ 0.5
V
QPn中输出; V
O
＆ LT ; 0.5 V
I
I
I
O
T
英镑
T
AMB
P
合计
输入漏电流
输出电流
储存温度
环境温度
总功耗
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
DIP20封装
SO20封装
TSSOP20封装
P
[1]
[2]
[3]
[1]
[2]
[3]
条件
V
I
＆ LT ;
0.5
V或V
I
＆ GT ; V
DD
+ 0.5 V
民
0.5
-
0.5
-
-
-
-
-
65
40
-
-
-
-
最大
+18
±10
V
DD
+ 0.5
±10
40
±10
±10
40
+150
+125
750
500
500
100
单位
V
mA
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
°C
mW
mW
mW
mW
QSN输出
QPn中输出
功耗
每路输出
对于DIP20封装：P
合计
减额直线为12毫瓦/ K以上70
°C.
对于SO20封装：P
合计
减额线性8毫瓦/ K以上70
°C.
对于TSSOP20封装：P
合计
减额线性5.5毫瓦/ K以上60
°C.
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HEF4894B
产品数据表
启示录7 - 2010年8月13日
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