飞利浦半导体
产品speci fi cation
4位数值比较器
AC特性
V
SS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
C
L
= 50 pF的;输入转换时间
≤
20纳秒
V
DD
V
传播延迟
A
n
, B
n
→
O
n
前高后低
5
10
15
5
从低到高
I
n
→
O
n
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
输出转换时间
前高后低
10
15
5
10
15
5
从低到高
10
15
t
TLH
t
THL
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
160
65
45
150
60
45
110
45
30
120
50
35
60
30
20
60
30
20
320纳秒
130纳秒
90纳秒
300纳秒
120纳秒
90纳秒
220纳秒
90纳秒
60纳秒
240纳秒
100纳秒
70纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
120纳秒
60纳秒
40纳秒
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
HEF4585B
微星
典型的外推
公式
133纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
54纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
37纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
123纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
49纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
37纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
83纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
34纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
22纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
93纳秒
+
（ 0,55 NS / PF ）C
L
39纳秒
+
（ 0,23 NS / PF ）C
L
27纳秒
+
（ 0.16纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
10纳秒
+
（ 1,0 NS / PF ）C
L
9 NS
+
（ 0.42纳秒/ PF ）C
L
6纳秒
+
（ 0.28纳秒/ PF ）C
L
V
DD
V
动态功耗
每消耗
包（P）的
5
10
15
典型公式P（ μW ）
1250 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
5500 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
15 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
哪里
f
i
=输入频率。 （兆赫）
f
o
=输出频率。 （兆赫）
C
L
=负载电容（PF ）
∑
(f
o
C
L
） =产出的总和
V
DD
- 电源电压（ V）
应用信息
为HEF4585B应用的一些实例是：
过程控制器。
伺服电机控制。
1995年1月
5
